Tulosta sivu
TK72E12N1,S1X(S
Power MOSFET, N Channel, 120 V, 179 A, 3600 µohm, TO-220, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaTOSHIBA
Valmistajan osanumeroTK72E12N1,S1X(S
Tilauskoodi4173149
TuotevalikoimaU-MOSVIII-H Series
Vaihtoehtoinen nimiTK72E12N1, TK72E12N1,S1X
Tekninen tuotetietolomake
Saatavilla tilauksesta
Valmistajan vakiomääräinen toimitusaika: 20 viikko(a)
Ilmoittakaa minulle, kun tuotetta on taas varastossa
| Määrä | |
|---|---|
| 700+ | 1,330 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 700
Useita: 700
931,00 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaTOSHIBA
Valmistajan osanumeroTK72E12N1,S1X(S
Tilauskoodi4173149
TuotevalikoimaU-MOSVIII-H Series
Vaihtoehtoinen nimiTK72E12N1, TK72E12N1,S1X
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id179A
Drain Source On State Resistance3600µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation255W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeU-MOSVIII-H Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
179A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
255W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
120V
Drain Source On State Resistance
3600µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
U-MOSVIII-H Series
SVHC
To Be Advised
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:To Be Advised
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.007257
Tuotteen jäljitettävyys