Tulosta sivu
SKM195GB066D
IGBT Module, Half Bridge, 265 A, 1.45 V, 175 °C, Module
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
5 Varastossa
16 Voit varata tuotteen varastosta nyt
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 116,420 € |
| 5+ | 109,510 € |
| 10+ | 101,600 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
116,42 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaSEMIKRON
Valmistajan osanumeroSKM195GB066D
Tilauskoodi2423691
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityDual N Channel
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current265A
DC Collector Current265A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Junction Temperature Tj Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo600V
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max600V
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Tuotteen yleiskatsaus
The SKM195GB066D is a SEMITRANS® 2 Trench IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders. It features VCE(sat) with positive temperature coefficient and high short-circuit capability, self limiting to 6 x IC.
- Half-bridge switch
- Homogeneous Si
- Trench-gate technology
Sovellukset
Power Management, Maintenance & Repair
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
265A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.45V
Power Dissipation
-
Junction Temperature Tj Max
175°C
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
600V
Transistor Mounting
Panel
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
265A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
600V
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench]
Product Range
-
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Slovak Republic
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Slovak Republic
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.18