Tulosta sivu
SKM195GB066D
IGBT Module, Half Bridge, 265 A, 1.45 V, 175 °C, Module
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
5 Varastossa
16 Voit varata tuotteen varastosta nyt
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 115,110 € |
| 5+ | 110,460 € |
| 10+ | 104,980 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
115,11 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaSEMIKRON
Valmistajan osanumeroSKM195GB066D
Tilauskoodi2423691
Tekninen tuotetietolomake
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
Continuous Collector Current265A
DC Collector Current265A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Junction Temperature Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo600V
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max600V
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Tuotteen yleiskatsaus
The SKM195GB066D is a SEMITRANS® 2 Trench IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders. It features VCE(sat) with positive temperature coefficient and high short-circuit capability, self limiting to 6 x IC.
- Half-bridge switch
- Homogeneous Si
- Trench-gate technology
Sovellukset
Power Management, Maintenance & Repair
Tekniset tiedot
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
265A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.45V
Power Dissipation
-
Junction Temperature Tj Max
175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
600V
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
600V
Transistor Mounting
Panel
Transistor Polarity
Dual N Channel
DC Collector Current
265A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench]
Product Range
-
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Slovak Republic
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Slovak Republic
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.18