Tulosta sivu
BM3G107MUV-LBE2
GAN HEMT POWER STAGE IC, VQFN046V8080
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
Saatavilla tilauksesta
rekisteröi kiinnostuksesi tästä
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 11,710 € |
| 10+ | 10,590 € |
| 25+ | 10,050 € |
| 50+ | 9,490 € |
| 100+ | 8,920 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
11,71 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaROHM
Valmistajan osanumeroBM3G107MUV-LBE2
Tilauskoodi4721168
Tekninen tuotetietolomake
IC FunctionGaN HEMT Power Stage
Supply Voltage Min6.83V
Supply Voltage Max30V
IC Package TypeVQFN046V8080
No. of Pins46Pins
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset tiedot
IC Function
GaN HEMT Power Stage
Supply Voltage Max
30V
No. of Pins
46Pins
Operating Temperature Max
105°C
Automotive Qualification Standard
-
Supply Voltage Min
6.83V
IC Package Type
VQFN046V8080
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Japan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Japan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Tarkistettava
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000001
Tuotteen jäljitettävyys