Tulosta sivu
BSC123N08NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 55 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroBSC123N08NS3GATMA1
Tilauskoodi1775469
Vaihtoehtoinen nimiBSC123N08NS3 G, SP000443916
Tekninen tuotetietolomake
66 427 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
.
.
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 1,280 € |
| 10+ | 0,853 € |
| 100+ | 0,649 € |
| 500+ | 0,510 € |
| 1000+ | 0,441 € |
| 5000+ | 0,420 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
1,28 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaINFINEON
Valmistajan osanumeroBSC123N08NS3GATMA1
Tilauskoodi1775469
Vaihtoehtoinen nimiBSC123N08NS3 G, SP000443916
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source On State Resistance0.0123ohm
Transistor Case StylePG-TDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation66W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
The BSC123N08NS3 G is a N-channel Power MOSFET with performance leading benchmark OptiMOS™ technology. It is the market leader in highly efficient solutions for power generation, power supply and power consumption applications.
- Optimized technology for DC-to-DC converters
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Superior thermal resistance
- Dual sided cooling
- Low parasitic inductance
- Low profile
- Normal level
- 100% avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Sovellukset
Power Management, Consumer Electronics, Communications & Networking, Motor Drive & Control, LED Lighting, Automotive
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
55A
Transistor Case Style
PG-TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
66W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0123ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000172