Tulosta sivu
WG30R140W1Q
IGBT, 60 A, 1.8 V, 357 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pins
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaWEEN SEMICONDUCTORS
Valmistajan osanumeroWG30R140W1Q
Tilauskoodi4697764
Tekninen tuotetietolomake
240 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 2,940 € |
| 10+ | 2,000 € |
| 100+ | 1,700 € |
| 500+ | 1,620 € |
| 1000+ | 1,460 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
2,94 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaWEEN SEMICONDUCTORS
Valmistajan osanumeroWG30R140W1Q
Tilauskoodi4697764
Tekninen tuotetietolomake
Continuous Collector Current60A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation357W
Collector Emitter Voltage Max1.4kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
WG30R140W1Q is an IGBT. It uses advanced Fine Trench Field-stop technology IGBT with monolithic body diode. This device is part of reverse-conducting of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency for soft commutation. Typical applications include microwave ovens, induction heating, resonant converters, soft switching applications.
- Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
- Low conduction losses, EMI improved design
- Positive temperature efficient for easy parallel operating
- Collector-emitter breakdown voltage is 1400V min at VGE = 0V; IC = 1mA
- Diode forward voltage is 2V typ at VGE = 0V; IF = 30A; Tj = 25°C
- Zero gate voltage collector current is 100μA max at VCE = 1400V; VGE = 0V; Tj = 25°C
- Gate charge is 153nC typ at VCC = 1120V; IC = 30A; VGE = 15V;Tj = 25°C
- Turn-off delay time is 129nS typ at Tj=25°C;IC=30A; VGE=15V / 0V; RG=10 ohm;Cr=300nF; R=2ohm
- TO247 package
- Maximum operating junction temperature is 175°C
Tekniset tiedot
Continuous Collector Current
60A
Power Dissipation
357W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Collector Emitter Voltage Max
1.4kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Tarkistettava
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Tarkistettava
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000001