Tulosta sivu
VS-FC420SA10
MOSFET Transistor, N Channel, 435 A, 100 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2.9 V, SOT-227
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroVS-FC420SA10
Tilauskoodi3513307
TuotevalikoimaTrenchFET Series
Tekninen tuotetietolomake
844 Varastossa
640 Voit varata tuotteen varastosta nyt
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 23,760 € |
| 5+ | 22,220 € |
| 10+ | 20,680 € |
| 50+ | 19,130 € |
| 100+ | 17,590 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
23,76 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroVS-FC420SA10
Tilauskoodi3513307
TuotevalikoimaTrenchFET Series
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id435A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.00215ohm
On Resistance Rds(on)0.0013ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation652W
Power Dissipation Pd652W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
SVHCTo Be Advised
Tuotteen yleiskatsaus
VS-FC420SA10 is a power module single switch power MOSFET.
- ID <gt/> 420A, TC = 25°C, TrenchFET® power MOSFET
- Low input capacitance (Ciss), reduced switching and conduction losses
- Ultra low gate charge (Qg), avalanche energy rated (UIS)
- UL approved file E78996
- Drain to source voltage is 100V max (TC = 25°C)
- Static drain to source on-resistance is 1.3mohm typ (VGS = 10V, ID = 200A, TJ = 25°C)
- Continuous drain current, VGS at 10V is 435A max (TC = 25°C)
- Insulation voltage (RMS) is 2500V max (any terminal to case, t = 1 min, TC = 25°C)
- Rise time is 275ns typ (VDD = 50V, TJ = 25°C), fall time is 172ns typ (VDD = 50V, TJ = 25°C)
- SOT-227 package, operating junction temperature range from -55 to +175°C
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
435A
Drain Source On State Resistance
0.00215ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
652W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0013ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
Power Dissipation Pd
652W
Product Range
TrenchFET Series
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:To Be Advised
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.04
Tuotteen jäljitettävyys