Tulosta sivu
TSHG5510
Infrared Emitter, High Speed, 830 nm, 38 °, T-1 3/4 (5mm), 15 mW/Sr, 15 ns, 15 ns
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
Saatavilla tilauksesta
Valmistajan vakiomääräinen toimitusaika: 28 viikko(a)
Ilmoittakaa minulle, kun tuotetta on taas varastossa
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 1,690 € |
| 10+ | 1,010 € |
| 25+ | 0,906 € |
| 50+ | 0,801 € |
| 100+ | 0,697 € |
| 500+ | 0,641 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
1,69 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroTSHG5510
Tilauskoodi1779675
Tekninen tuotetietolomake
Peak Wavelength830nm
Angle of Half Intensity38°
Diode Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Radiant Intensity (Ie)15mW/Sr
Rise Time15ns
Fall Time tf15ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.45V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSL-
SVHCTo Be Advised
Tuotteen yleiskatsaus
The TSHG5510 is a 830nm high speed Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power, high speed and moulded in a clear. This diode is suitable for high pulse current operation. It is suitable for use in infrared radiation source for operation with CMOS cameras (illumination), high speed IR data transmission.
- High reliability
- High radiant intensity
- ±38° Angle of half sensitivity
- Low forward voltage
- Good spectral matching with Si photo-detectors
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Peak Wavelength
830nm
Diode Case Style
T-1 3/4 (5mm)
Rise Time
15ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Angle of Half Intensity
38°
Radiant Intensity (Ie)
15mW/Sr
Fall Time tf
15ns
Forward Voltage VF Max
1.45V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Tekniset asiakirjat (3)
Vaihtoehdot osanumerolle TSHG5510
1 tuote löytyi
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:To Be Advised
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000454
Tuotteen jäljitettävyys