Tulosta sivu
SUD50P04-08-GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 50 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
39 540 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 1,760 € |
| 10+ | 1,230 € |
| 100+ | 0,876 € |
| 500+ | 0,696 € |
| 1000+ | 0,628 € |
| 5000+ | 0,548 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
1,76 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSUD50P04-08-GE3
Tilauskoodi1794811
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.0067ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation73.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
The SUD50P04-08-GE3 from Vishay is a surface mount, 40V P channel TrenchFET power MOSFET in TO-252 package. This device is used as power switch, DC to DC converters and load switch in high current applications.
- Drain to source voltage (Vds) of -40V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of -50A
- Power dissipation (Pd) of 73.5W
- Low on state resistance of 9.7mohm at Vgs -4.5V
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Sovellukset
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
Tekniset tiedot
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
73.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0067ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniset asiakirjat (2)
Vaihtoehdot osanumerolle SUD50P04-08-GE3
8 tuotetta löydetty
Liitännäistuotteet
6 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0003