Tulosta sivu
SQS120ELNW-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 192 A, 1800 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSQS120ELNW-T1_GE3
Tilauskoodi4241539
TuotevalikoimaTrenchFET Gen IV Series
Tekninen tuotetietolomake
2 960 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 1,370 € |
| 10+ | 0,896 € |
| 100+ | 0,648 € |
| 500+ | 0,510 € |
| 1000+ | 0,465 € |
| 5000+ | 0,383 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
1,37 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSQS120ELNW-T1_GE3
Tilauskoodi4241539
TuotevalikoimaTrenchFET Gen IV Series
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id192A
Drain Source On State Resistance1800µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8SLW
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation119W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (07-Nov-2024)
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
192A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8SLW
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
119W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
1800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000074
Tuotteen jäljitettävyys