Tulosta sivu
SQJB46EP-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6100 µohm
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSQJB46EP-T1_GE3
Tilauskoodi3702699RL
TuotevalikoimaTrenchFET Gen IV Series
Tekninen tuotetietolomake
Saatavilla tilauksesta
Valmistajan vakiomääräinen toimitusaika: 31 viikko(a)
Ilmoittakaa minulle, kun tuotetta on taas varastossa
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 0,717 € |
| 500+ | 0,566 € |
| 1000+ | 0,518 € |
| 5000+ | 0,455 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 1
76,70 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSQJB46EP-T1_GE3
Tilauskoodi3702699RL
TuotevalikoimaTrenchFET Gen IV Series
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel6100µohm
Drain Source On State Resistance P Channel6100µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel34W
Power Dissipation P Channel34W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
6100µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
34W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id
30A
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
6100µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
34W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000001
Tuotteen jäljitettävyys