Tulosta sivu
SIZ988DT-T1-GE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 30 V, 60 A, 0.0028 ohm
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSIZ988DT-T1-GE3
Tilauskoodi4246813RL
TuotevalikoimaTrenchFET Gen IV Series
Tekninen tuotetietolomake
5 830 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 0,743 € |
| 500+ | 0,541 € |
| 1000+ | 0,485 € |
| 5000+ | 0,405 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 1
79,30 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSIZ988DT-T1-GE3
Tilauskoodi4246813RL
TuotevalikoimaTrenchFET Gen IV Series
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.0028ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel40W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
Tekniset tiedot
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0028ohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
40W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tekniset asiakirjat (2)
Vaihtoehdot osanumerolle SIZ988DT-T1-GE3
1 tuote löytyi
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Taiwan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Taiwan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000074