Tulosta sivu
SIZ340DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0042 ohm
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
5 693 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 0,515 € |
| 500+ | 0,448 € |
| 1000+ | 0,370 € |
| 5000+ | 0,349 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 1
56,50 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSIZ340DT-T1-GE3
Tilauskoodi2422226RL
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel40A
Continuous Drain Current Id P Channel40A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0042ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0042ohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel31W
Power Dissipation P Channel31W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Tuotteen yleiskatsaus
The SIZ340DT-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for synchronous buck battery charging and graphic cards, POL applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
Sovellukset
Industrial, Power Management, Computers & Computer Peripherals
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
40A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0042ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
31W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
40A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0042ohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
31W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (2)
Vaihtoehdot osanumerolle SIZ340DT-T1-GE3
1 tuote löytyi
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Taiwan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Taiwan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00033
Tuotteen jäljitettävyys