Tulosta sivu
SIRB40DP-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0027 ohm
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSIRB40DP-T1-GE3
Tilauskoodi3772837RL
TuotevalikoimaTrenchFET Gen IV Series
Tekninen tuotetietolomake
14 927 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 0,796 € |
| 500+ | 0,632 € |
| 1000+ | 0,564 € |
| 5000+ | 0,520 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 1
84,60 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSIRB40DP-T1-GE3
Tilauskoodi3772837RL
TuotevalikoimaTrenchFET Gen IV Series
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel40A
Continuous Drain Current Id P Channel40A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0027ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0027ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel46.2W
Power Dissipation P Channel46.2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
40A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0027ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
46.2W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
40A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0027ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
46.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000001
Tuotteen jäljitettävyys