Tulosta sivu
SIJH5800E-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 302 A, 1350 µohm, PowerPAK 8 x 8L, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSIJH5800E-T1-GE3
Tilauskoodi4246969
TuotevalikoimaTrenchFET Gen V Series
Tekninen tuotetietolomake
50 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 5,580 € |
| 10+ | 4,470 € |
| 100+ | 3,440 € |
| 500+ | 3,400 € |
| 1000+ | 3,350 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
5,58 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tuotetiedot
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSIJH5800E-T1-GE3
Tilauskoodi4246969
TuotevalikoimaTrenchFET Gen V Series
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id302A
Drain Source On State Resistance1350µohm
Transistor Case StylePowerPAK 8 x 8L
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation333W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
302A
Transistor Case Style
PowerPAK 8 x 8L
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
333W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
1350µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00001