Tulosta sivu
SIJ494DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 36.8 A, 0.0232 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSIJ494DP-T1-GE3
Tilauskoodi3772825
TuotevalikoimaThunderFET
Tekninen tuotetietolomake
14 383 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 0,747 € |
| 10+ | 0,684 € |
| 100+ | 0,631 € |
| 500+ | 0,579 € |
| 1000+ | 0,562 € |
| 5000+ | 0,558 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
0,75 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSIJ494DP-T1-GE3
Tilauskoodi3772825
TuotevalikoimaThunderFET
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id36.8A
Drain Source On State Resistance0.0232ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation69.4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeThunderFET
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
36.8A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0232ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
ThunderFET
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000001
Tuotteen jäljitettävyys