Tulosta sivu
SIDR570EP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 90.9 A, 7900 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSIDR570EP-T1-RE3
Tilauskoodi3954179RL
TuotevalikoimaTrenchFET Gen V Series
Tekninen tuotetietolomake
5 655 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 1,610 € |
| 500+ | 1,330 € |
| 1000+ | 1,210 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 1
166,00 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSIDR570EP-T1-RE3
Tilauskoodi3954179RL
TuotevalikoimaTrenchFET Gen V Series
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id90.9A
Drain Source On State Resistance7900µohm
On Resistance Rds(on)0.0065ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd150W
Power Dissipation150W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
7900µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
150W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
90.9A
On Resistance Rds(on)
0.0065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (2)
Vaihtoehdot osanumerolle SIDR570EP-T1-RE3
2 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Germany
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000001
Tuotteen jäljitettävyys