Tulosta sivu
SIA533EDJ-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.028 ohm
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSIA533EDJ-T1-GE3
Tilauskoodi3772808RL
TuotevalikoimaTrench Series
Tekninen tuotetietolomake
6 603 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 0,349 € |
| 500+ | 0,260 € |
| 1000+ | 0,220 € |
| 5000+ | 0,210 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 1
39,90 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSIA533EDJ-T1-GE3
Tilauskoodi3772808RL
TuotevalikoimaTrench Series
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.028ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.028ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel7.8W
Power Dissipation P Channel7.8W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench Series
Qualification-
Tekniset tiedot
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.028ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
7.8W
Product Range
Trench Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.028ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation N Channel
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tekniset asiakirjat (2)
Vaihtoehdot osanumerolle SIA533EDJ-T1-GE3
1 tuote löytyi
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000001
Tuotteen jäljitettävyys