Tulosta sivu
SI7540ADP-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSI7540ADP-T1-GE3
Tilauskoodi2707201RL
TuotevalikoimaTrenchFET Series
Tekninen tuotetietolomake
121 523 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 1,050 € |
| 500+ | 0,767 € |
| 1000+ | 0,701 € |
| 5000+ | 0,629 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 1
110,00 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSI7540ADP-T1-GE3
Tilauskoodi2707201RL
TuotevalikoimaTrenchFET Series
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0115ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0115ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel1.6W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
N- and P-channel 20V (D-S) MOSFET suitable for use in DC/DC converters, synchronous buck converter, synchronous rectifier, load switch and motor drive switch.
- TrenchFET® power MOSFET
- Thermally enhanced PowerPAK®
- 100% Rg tested
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0115ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.6W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0115ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000226