Tulosta sivu
SI7252DP-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 36.7 A, 36.7 A, 0.014 ohm
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
26 189 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 2,570 € |
| 10+ | 1,760 € |
| 100+ | 1,240 € |
| 500+ | 0,950 € |
| 1000+ | 0,875 € |
| 5000+ | 0,791 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
2,57 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSI7252DP-T1-GE3
Tilauskoodi2364060
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel36.7A
Continuous Drain Current Id P Channel36.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.014ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.014ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel46W
Power Dissipation P Channel46W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
Dual N-channel 100V (D-S) MOSFET for use in primary side switching, synchronous rectification and DC/AC inverters.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
36.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.014ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
46W
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
36.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.014ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
46W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (2)
Vaihtoehdot osanumerolle SI7252DP-T1-GE3
1 tuote löytyi
Liitännäistuotteet
2 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0001
Tuotteen jäljitettävyys