Tulosta sivu
SI6562CDQ-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.18 ohm
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
17 258 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 1,020 € |
| 10+ | 0,711 € |
| 100+ | 0,549 € |
| 500+ | 0,446 € |
| 1000+ | 0,439 € |
| 5000+ | 0,431 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
1,02 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSI6562CDQ-T1-GE3
Tilauskoodi2335341
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel6.7A
Continuous Drain Current Id P Channel6.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.18ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.18ohm
Transistor Case StyleTSSOP
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel1.6W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
The SI6562CDQ-T1-GE3 is a N/P-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for load switch and DC-to-DC converter applications.
- TrenchFET® power MOSFET
Sovellukset
Industrial, Power Management
Tekniset tiedot
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
6.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.18ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.6W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.18ohm
Transistor Case Style
TSSOP
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000092
Tuotteen jäljitettävyys