Tulosta sivu
SI1926DL-T1-E3
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 370 mA, 370 mA, 1.4 ohm
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSI1926DL-T1-E3
Tilauskoodi2646364RL
TuotevalikoimaTrenchFET Series
Tekninen tuotetietolomake
2 316 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
Saatavilla kunnes tavara loppuu
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 0,236 € |
| 500+ | 0,193 € |
| 1500+ | 0,165 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 5
28,60 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSI1926DL-T1-E3
Tilauskoodi2646364RL
TuotevalikoimaTrenchFET Series
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel370mA
Continuous Drain Current Id P Channel370mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.4ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1.4ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel510mW
Power Dissipation P Channel510mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
370mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1.4ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
510mW
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
370mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.4ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
510mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tekniset asiakirjat (3)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000123
Tuotteen jäljitettävyys