Tulosta sivu
SI1032R-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-89, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
2 490 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
Saatavilla kunnes tavara loppuu
| Määrä | |
|---|---|
| 5+ | 0,381 € |
| 10+ | 0,282 € |
| 100+ | 0,230 € |
| 500+ | 0,175 € |
| 1000+ | 0,149 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 5
Useita: 5
1,90 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroSI1032R-T1-GE3
Tilauskoodi1794805
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id140mA
Drain Source On State Resistance5ohm
Transistor Case StyleSC-89
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation250mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Vaihtoehdot osanumerolle SI1032R-T1-GE3
1 tuote löytyi
Tuotteen yleiskatsaus
The SI1032R-T1-GE3 is a 1.5VGS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.
- 2000V Gate-source ESD protected
- Low-side switching
- Low ON-resistance
- Low threshold
- 35ns Fast switching speed
- 1.5V Rated voltage
- Halogen-free
- Ease in driving switches
- Low offset voltage
- Low-voltage operation
- High-speed circuits
- Low battery voltage operation
Sovellukset
Industrial, Power Management, Portable Devices
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
140mA
Transistor Case Style
SC-89
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (3)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Israel
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Israel
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0005
Tuotteen jäljitettävyys