Tulosta sivu
IRFP22N50APBF
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 22 A, 0.23 ohm, TO-247AC, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
570 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 4,920 € |
| 10+ | 3,480 € |
| 100+ | 3,380 € |
| 500+ | 3,270 € |
| 1000+ | 3,200 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
4,92 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroIRFP22N50APBF
Tilauskoodi8649243
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id22A
Drain Source On State Resistance0.23ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation277W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
The IRFP22N50APBF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with low gate charge.
- Simple drive requirements
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
Sovellukset
Industrial, Power Management
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
22A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
277W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.23ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Israel
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Israel
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.006
Tuotteen jäljitettävyys