Tulosta sivu
IRFI9520GPBF.
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 5.2 A, 0.6 ohm, TO-220FP, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
Ei varastossa enää
Tuotetiedot
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroIRFI9520GPBF.
Tilauskoodi9103295
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id5.2A
Drain Source On State Resistance0.6ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation37W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Vaihtoehdot osanumerolle IRFI9520GPBF.
1 tuote löytyi
Tekniset tiedot
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.2A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
37W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.6ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.002