Tulosta sivu
IRF840ALPBF
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
346 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 1,820 € |
| 10+ | 1,430 € |
| 100+ | 1,410 € |
| 500+ | 1,360 € |
| 1000+ | 1,270 € |
| 5000+ | 1,230 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
1,82 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroIRF840ALPBF
Tilauskoodi1611637
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.85ohm
Transistor Case StyleTO-262
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation3.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
The IRF840ALPBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET offers low gate charge Qg results in simple drive requirement. It is suitable for high speed power switching.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance, avalanche voltage and current
Sovellukset
Power Management
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TO-262
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.85ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Israel
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Israel
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.002386
Tuotteen jäljitettävyys