Tulosta sivu
BPW77NA
Phototransistor, 850 nm, 10 °, 250 mW, 3 Pins, TO-18
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
790 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 3,400 € |
| 10+ | 2,210 € |
| 25+ | 2,120 € |
| 50+ | 2,020 € |
| 100+ | 1,930 € |
| 500+ | 1,730 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
3,40 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaVISHAY
Valmistajan osanumeroBPW77NA
Tilauskoodi1612659
Wavelength Typ850nm
Viewing Angle10°
Power Consumption250mW
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleTO-18
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
The BPW77NA is a Silicon NPN Phototransistor with high radiant sensitivity in hermetically sealed. It is sensitive to visible and near infrared radiation. It is suitable for visible and near infrared radiation.
- High photo sensitivity
- High radiant sensitivity
- Fast response times
- Base terminal connected
- ±10° Angle of half sensitivity
Sovellukset
Sensing & Instrumentation
Tekniset tiedot
Wavelength Typ
850nm
Power Consumption
250mW
Transistor Case Style
TO-18
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Viewing Angle
10°
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniset asiakirjat (1)
Liitännäistuotteet
1 tuote löytyi
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Tariffinumero:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Tarkistettava
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Tarkistettava
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen jäljitettävyys