Tulosta sivu
OPB706A
Reflective Photo Interrupter, OPB706 Series, Phototransistor, Through Hole, 1.27 mm, 20 mA, 2 Vr
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
Valmistajan osanumeroOPB706A
Tilauskoodi1497904
Tekninen tuotetietolomake
508 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 2,170 € |
| 10+ | 2,130 € |
| 25+ | 2,080 € |
| 50+ | 2,040 € |
| 100+ | 2,000 € |
| 500+ | 1,950 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
2,17 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
Valmistajan osanumeroOPB706A
Tilauskoodi1497904
Tekninen tuotetietolomake
Sensing MethodReflective
Sensing Distance / Slot Width1.27mm
Sensing Distance1.27mm
Supply Voltage Min-
Supply Voltage Max-
Forward Current If20mA
Reverse Voltage Vr2V
Sensor Case / PackageModule
Collector Emitter Voltage Max30V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo24V
Forward Voltage1.7V
Collector Current IC Max25mA
Sensor Output TypePhototransistor
IP Rating-
Sensor MountingThrough Hole
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tuotteen yleiskatsaus
The OPB706A is a Reflective Object Sensor consist of an infrared light emitting diode (LED) and an NPN silicon phototransistor mounted "side-by-side" on parallel axes in a black plastic housing. The LED and phototransistor is moulded using dark infrared transmissive plastic to reduce ambient light noise. The phototransistor responds to light from the emitter when a reflective object passes within its field of view of the device.
- 935nm LED peak wavelength
- 0.05" Reflection distance
- Unfocused for sensing diffuse surface
- 75mW Power dissipation
- -40 to 85°C Operating temperature range
Sovellukset
Sensing & Instrumentation, Automation & Process Control, Safety
Tekniset tiedot
Sensing Method
Reflective
Sensing Distance
1.27mm
Supply Voltage Max
-
Reverse Voltage Vr
2V
Collector Emitter Voltage Max
30V
Forward Voltage
1.7V
Sensor Output Type
Phototransistor
Sensor Mounting
Through Hole
Operating Temperature Max
85°C
Qualification
-
Sensing Distance / Slot Width
1.27mm
Supply Voltage Min
-
Forward Current If
20mA
Sensor Case / Package
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
24V
Collector Current IC Max
25mA
IP Rating
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Mexico
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Mexico
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.001361
Tuotteen jäljitettävyys