Tulosta sivu
TPH6R008QM,LQ(M1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 59 A, 4700 µohm, SOP Advance, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaTOSHIBA
Valmistajan osanumeroTPH6R008QM,LQ(M1
Tilauskoodi4227521
Vaihtoehtoinen nimiTPH6R008QM, TPH6R008QM,LQ
Tekninen tuotetietolomake
3 935 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 1,450 € |
| 10+ | 0,918 € |
| 100+ | 0,609 € |
| 500+ | 0,481 € |
| 1000+ | 0,433 € |
| 5000+ | 0,416 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
1,45 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaTOSHIBA
Valmistajan osanumeroTPH6R008QM,LQ(M1
Tilauskoodi4227521
Vaihtoehtoinen nimiTPH6R008QM, TPH6R008QM,LQ
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id59A
Drain Source On State Resistance4700µohm
Transistor Case StyleSOP Advance
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation135W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
59A
Transistor Case Style
SOP Advance
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
135W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
4700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:To Be Advised
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000101
Tuotteen jäljitettävyys