Tulosta sivu
TK8A25DA,S4X(M
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 7.5 A, 0.41 ohm, TO-220SIS, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaTOSHIBA
Valmistajan osanumeroTK8A25DA,S4X(M
Tilauskoodi4173166
Vaihtoehtoinen nimiTK8A25DA, TK8A25DA,S4X
Tekninen tuotetietolomake
10 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 1,010 € |
| 10+ | 0,474 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
1,01 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaTOSHIBA
Valmistajan osanumeroTK8A25DA,S4X(M
Tilauskoodi4173166
Vaihtoehtoinen nimiTK8A25DA, TK8A25DA,S4X
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id7.5A
Drain Source On State Resistance0.41ohm
Transistor Case StyleTO-220SIS
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation30W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.5A
Transistor Case Style
TO-220SIS
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
30W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.41ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:To Be Advised
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0017
Tuotteen jäljitettävyys