Tulosta sivu
TK5R1A08QM,S4X(S
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 71 A, 4100 µohm, TO-220SIS, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaTOSHIBA
Valmistajan osanumeroTK5R1A08QM,S4X(S
Tilauskoodi4173126
TuotevalikoimaU-MOSX-H Series
Vaihtoehtoinen nimiTK5R1A08QM, TK5R1A08QM,S4X
Tekninen tuotetietolomake
940 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 1,980 € |
| 10+ | 1,030 € |
| 100+ | 0,981 € |
| 500+ | 0,684 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
1,98 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tuotetiedot
ValmistajaTOSHIBA
Valmistajan osanumeroTK5R1A08QM,S4X(S
Tilauskoodi4173126
TuotevalikoimaU-MOSX-H Series
Vaihtoehtoinen nimiTK5R1A08QM, TK5R1A08QM,S4X
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id71A
Drain Source On State Resistance4100µohm
Transistor Case StyleTO-220SIS
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation45W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSX-H Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
71A
Transistor Case Style
TO-220SIS
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
45W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
4100µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
U-MOSX-H Series
SVHC
To Be Advised
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:To Be Advised
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00156
Tuotteen jäljitettävyys