Tulosta sivu
SSM6K217FE,LF(A
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 1.8 A, 0.195 ohm, SOT-563, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
Pakkausvaihtoehdot
3 020 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
.
.
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 0,106 € |
| 500+ | 0,103 € |
| 1000+ | 0,0979 € |
| 5000+ | 0,0796 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 5
10,60 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaTOSHIBA
Valmistajan osanumeroSSM6K217FE,LF(A
Tilauskoodi4415933RL
Tekninen tuotetietolomake
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id1.8A
Drain Source On State Resistance0.195ohm
Rds(on) Test Voltage8V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation500mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Tekniset tiedot
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.195ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
6Pins
Continuous Drain Current Id
1.8A
Rds(on) Test Voltage
8V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Japan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Japan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Tarkistettava
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000003
Tuotteen jäljitettävyys