Tulosta sivu
HN4B102J(TE85L,F)
Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaTOSHIBA
Valmistajan osanumeroHN4B102J(TE85L,F)
Tilauskoodi4062480RL
Vaihtoehtoinen nimiHN4B102J, HN4B102J(TE85L
Tekninen tuotetietolomake
1 493 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 0,361 € |
| 500+ | 0,279 € |
| 1000+ | 0,254 € |
| 5000+ | 0,214 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 1
41,10 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaTOSHIBA
Valmistajan osanumeroHN4B102J(TE85L,F)
Tilauskoodi4062480RL
Vaihtoehtoinen nimiHN4B102J, HN4B102J(TE85L
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityNPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN30V
Collector Emitter Voltage Max PNP30V
Continuous Collector Current NPN2A
Continuous Collector Current PNP2A
Power Dissipation NPN1.1W
Power Dissipation PNP1.1W
DC Current Gain hFE Min NPN40hFE
DC Current Gain hFE Min PNP40hFE
Transistor Case StyleSOT-25
No. of Pins5Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
30V
Continuous Collector Current PNP
2A
Power Dissipation PNP
1.1W
DC Current Gain hFE Min PNP
40hFE
No. of Pins
5Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
Collector Emitter Voltage Max NPN
30V
Continuous Collector Current NPN
2A
Power Dissipation NPN
1.1W
DC Current Gain hFE Min NPN
40hFE
Transistor Case Style
SOT-25
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Japan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Japan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:To Be Advised
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00001
Tuotteen jäljitettävyys