Tulosta sivu
XP222N03013R-G
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-323-3A, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaTOREX
Valmistajan osanumeroXP222N03013R-G
Tilauskoodi3577853RL
TuotevalikoimaXP222N0301xx-G
Tekninen tuotetietolomake
2 500 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 0,0933 € |
| 500+ | 0,0677 € |
| 1000+ | 0,0496 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 5
14,33 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaTOREX
Valmistajan osanumeroXP222N03013R-G
Tilauskoodi3577853RL
TuotevalikoimaXP222N0301xx-G
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id300mA
Drain Source On State Resistance0.76ohm
On Resistance Rds(on)0.76ohm
Transistor Case StyleSOT-323-3A
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation350mW
Power Dissipation Pd350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeXP222N0301xx-G
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.76ohm
Transistor Case Style
SOT-323-3A
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
350mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
XP222N0301xx-G
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
300mA
On Resistance Rds(on)
0.76ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
Power Dissipation Pd
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (1)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Japan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Japan
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000001