Tulosta sivu
STY60NM50
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 60 A, 0.05 ohm, MAX-247, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroSTY60NM50
Tilauskoodi9936068
Tekninen tuotetietolomake
449 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 20,430 € |
| 5+ | 17,440 € |
| 10+ | 14,450 € |
| 50+ | 14,160 € |
| 100+ | 13,870 € |
| 250+ | 13,580 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
20,43 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroSTY60NM50
Tilauskoodi9936068
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleMAX-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation560W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
The STY60NM50 is a MDmesh™ N-channel Zener-protected Power MOSFET associates the multiple drain process with PowerMESH™ horizontal layout. The device has an outstanding low ON-resistance, impressively high dV/dt and excellent avalanche characteristics. The proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better. It is suitable for increasing power density of high voltage converters allowing system miniaturization and higher efficiencies.
- 0.045Ω RDS (ON)
- High dV/dt and avalanche capability
- Improved ESD capability
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
- Tight process control
- Lowest ON-resistance
Sovellukset
Power Management, Industrial
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Transistor Case Style
MAX-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
560W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00499
Tuotteen jäljitettävyys