Tulosta sivu
STW70N60DM2
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 66 A, 0.037 ohm, TO-247, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroSTW70N60DM2
Tilauskoodi2531122
Tekninen tuotetietolomake
235 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
.
.
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 10,540 € |
| 5+ | 9,740 € |
| 10+ | 8,950 € |
| 50+ | 8,150 € |
| 100+ | 7,360 € |
| 250+ | 6,560 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
10,54 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tuotetiedot
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroSTW70N60DM2
Tilauskoodi2531122
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id66A
Drain Source On State Resistance0.037ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation446W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
- 600V, 66A N-channel MDmesh™ DM2 power MOSFET in 3 pin TO-247 package
- Fast recovery body diode
- Extremely low gate charge and input capacitance
- 100% avalanche tested
- Extremely high dv/dt ruggedness
- Zener protected
- Suitable for switching applications
- Very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on Low on-resistance
- Suitable for the most demanding high efficiency converters
- Ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
66A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
446W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.037ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniset asiakirjat (2)
Liitännäistuotteet
3 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00443
Tuotteen jäljitettävyys