Tulosta sivu
STW3N150
Power MOSFET, N Channel, 1.5 kV, 1.3 A, 6 ohm, TO-247, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroSTW3N150
Tilauskoodi1752211
Tekninen tuotetietolomake
185 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
.
.
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 4,930 € |
| 10+ | 2,410 € |
| 100+ | 2,230 € |
| 500+ | 2,220 € |
| 1000+ | 2,210 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
4,93 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tuotetiedot
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroSTW3N150
Tilauskoodi1752211
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.5kV
Continuous Drain Current Id1.3A
Drain Source On State Resistance6ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation140W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
STW3N150 is a N-channel, 1500V, 2.5A, 6ohm typ, PowerMESH Power MOSFET in TO247 package. It is designed using the STMicroelectronics consolidated strip-layout-based MESH OVERLAY process. The result is a product that matches or improves on the performance of comparable standard parts from other manufacturers.
- 140W total power dissipation
- 100% avalanche tested
- Intrinsic capacitances and Qg minimized
- High speed switching
- Operating junction temperature of 150°C
- Suited for switching applications
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.3A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
140W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
1.5kV
Drain Source On State Resistance
6ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.006674
Tuotteen jäljitettävyys