Tulosta sivu
STW26NM50
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 30 A, 0.12 ohm, TO-247, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroSTW26NM50
Tilauskoodi1468007
TuotevalikoimaSTW
Tekninen tuotetietolomake
700 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 11,690 € |
| 10+ | 7,390 € |
| 100+ | 6,720 € |
| 500+ | 6,710 € |
| 1000+ | 6,700 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
11,69 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroSTW26NM50
Tilauskoodi1468007
TuotevalikoimaSTW
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation313W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSTW
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Tuotteen yleiskatsaus
The STW26NM50 is a 500V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- High dv/dt and avalanche capabilities
- Improved ESD capability
- Low input capacitance and gate charge
Sovellukset
Industrial
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
313W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STW
MSL
-
Tekniset asiakirjat (2)
Vaihtoehdot osanumerolle STW26NM50
4 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Ei
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Tarkistettava
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.004309
Tuotteen jäljitettävyys