Tulosta sivu
STW14NK50Z
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 14 A, 0.34 ohm, TO-247, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroSTW14NK50Z
Tilauskoodi9803882
Tekninen tuotetietolomake
34 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 2,410 € |
| 10+ | 2,150 € |
| 100+ | 2,040 € |
| 500+ | 2,030 € |
| 1000+ | 2,020 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
2,41 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroSTW14NK50Z
Tilauskoodi9803882
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source On State Resistance0.34ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
The STW14NK50Z is a SuperMESH™ N-channel Zener-protected Power MOSFET obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing On-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications.
- Extremely high dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitances
- Very good manufacturing repeatability
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Sovellukset
Power Management, Industrial
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
14A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.34ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (2)
Vaihtoehdot osanumerolle STW14NK50Z
2 tuotetta löydetty
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.006