Tulosta sivu

STP5NK80ZFP

Name: STMICROELECTRONICS STP5NK80ZFP
Brand: STMICROELECTRONICS
SKU: 9803246
Availability: InStock

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.3 A, 2.4 ohm, TO-220FP, Through Hole

Date/Lot Code

Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.

ValmistajaSTMICROELECTRONICS

Valmistajan osanumeroSTP5NK80ZFP

Tilauskoodi9803246

Tekninen tuotetietolomake

Data Sheet

Näytä kaikki tekniset asiakirjat

566 Varastossa

Tarvitsetko enemmän?

MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille

joiden arvo on vähintään 0,00 €

PIKATOIMITUS saatavilla

Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin

Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla

Määrä
1+	1,560 €
10+	1,290 €
100+	1,180 €
500+	1,090 €
1000+	1,070 €
5000+	1,010 €

Hinta tuotteelle:Each

Vähintään: 1

Useita: 1

1,56 € (ei sis. ALV)

Lisää osanumero / rivihuomautus

Tuotelinjahuomautus

Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.

Osanumero

Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.

Tuotetiedot

ValmistajaSTMICROELECTRONICS

Valmistajan osanumeroSTP5NK80ZFP

Tilauskoodi9803246

Tekninen tuotetietolomake

Data Sheet

Channel TypeN Channel

Drain Source Voltage Vds800V

Continuous Drain Current Id4.3A

Drain Source On State Resistance2.4ohm

Transistor Case StyleTO-220FP

Transistor MountingThrough Hole

Rds(on) Test Voltage10V

Gate Source Threshold Voltage Max3.75V

Power Dissipation30W

No. of Pins3Pins

Operating Temperature Max150°C

Product Range-

Qualification-

MSL-

SVHCLead (21-Jan-2025)

Tuotteen yleiskatsaus

The STP5NK80ZFP is a 800V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.

100% Avalanche tested
Gate charge minimized
Very low intrinsic capacitance
Very good manufacturing repeatability

Sovellukset

Industrial

Varoitukset

ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device. Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Tekniset tiedot

Channel Type

N Channel

Continuous Drain Current Id

4.3A

Transistor Case Style

TO-220FP

Rds(on) Test Voltage

10V

Power Dissipation

30W

Operating Temperature Max

150°C

Qualification

SVHC

Lead (21-Jan-2025)

Drain Source Voltage Vds

800V

Drain Source On State Resistance

2.4ohm

Transistor Mounting

Through Hole

Gate Source Threshold Voltage Max

3.75V

No. of Pins

3Pins

Product Range

MSL

Tekniset asiakirjat (2)

Product Change Notice EN

Technical Data Sheet EN

Vaihtoehdot osanumerolle STP5NK80ZFP

1 tuote löytyi

Lainsäädäntö ja ympäristöasiat

Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty

Tariffinumero:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

RoHS-direktiivin mukainen:Y-Ex

RoHS

Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä

RoHS

SVHC:Lead (21-Jan-2025)

Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus

Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus

Paino (kg):.002

Tuotteen jäljitettävyys