Tulosta sivu
STN3N45K3
Power MOSFET, N Channel, 450 V, 600 mA, 3.2 ohm, SOT-223, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroSTN3N45K3
Tilauskoodi2098284
Tekninen tuotetietolomake
5 563 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 0,769 € |
| 10+ | 0,549 € |
| 100+ | 0,385 € |
| 500+ | 0,370 € |
| 1000+ | 0,349 € |
| 5000+ | 0,294 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
0,77 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroSTN3N45K3
Tilauskoodi2098284
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds450V
Continuous Drain Current Id600mA
Drain Source On State Resistance3.2ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation2W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Tuotteen yleiskatsaus
The STN3N45K3 is a 450V N-channel Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET with a new optimized vertical structure. The MOSFET boasts an extremely low on resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering it suitable for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Extremely high dv/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitance
- Improved diode reverse recovery characteristics
- Zener-protected
Sovellukset
Industrial
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
600mA
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
450V
Drain Source On State Resistance
3.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000172
Tuotteen jäljitettävyys