Tulosta sivu
STL60N10F7
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 46 A, 0.0145 ohm, PowerFLAT, Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroSTL60N10F7
Tilauskoodi3132753
TuotevalikoimaSTripFET DeepGATE
Tekninen tuotetietolomake
2 162 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
.
.
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 0,652 € |
| 10+ | 0,635 € |
| 100+ | 0,622 € |
| 500+ | 0,614 € |
| 1000+ | 0,597 € |
| 5000+ | 0,553 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 1
Useita: 1
0,65 € (ei sis. ALV)
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tuotetiedot
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroSTL60N10F7
Tilauskoodi3132753
TuotevalikoimaSTripFET DeepGATE
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id46A
Drain Source On State Resistance0.0145ohm
Transistor Case StylePowerFLAT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation72W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET DeepGATE
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
Sovellukset
Medical
Tekniset tiedot
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
46A
Transistor Case Style
PowerFLAT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
72W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0145ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
STripFET DeepGATE
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00035
Tuotteen jäljitettävyys