Tulosta sivu
STD10P6F6
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 10 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroSTD10P6F6
Tilauskoodi2629745RL
TuotevalikoimaDeepGATE STripFET VI
Tekninen tuotetietolomake
67 660 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 0,576 € |
| 500+ | 0,452 € |
| 1000+ | 0,406 € |
| 5000+ | 0,348 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 5
62,60 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroSTD10P6F6
Tilauskoodi2629745RL
TuotevalikoimaDeepGATE STripFET VI
Tekninen tuotetietolomake
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.16ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation35W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeDeepGATE STripFET VI
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
- 60V, 10A P-channel STripFET™ F6 Power MOSFET in 3 pin DPAK package
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
- Suitable for switching applications
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
35W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
DeepGATE STripFET VI
MSL
-
Tekniset asiakirjat (2)
Vaihtoehdot osanumerolle STD10P6F6
1 tuote löytyi
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.000399
Tuotteen jäljitettävyys