Tulosta sivu
STB32NM50N
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 22 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroSTB32NM50N
Tilauskoodi3129853RL
TuotevalikoimaMDmesh II
Tekninen tuotetietolomake
1 121 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 100+ | 2,330 € |
| 500+ | 2,220 € |
| 1000+ | 1,800 € |
Hinta tuotteelle:Each (Supplied on Cut Tape)
Vähintään: 100
Useita: 1
238,00 € (ei sis. ALV)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroSTB32NM50N
Tilauskoodi3129853RL
TuotevalikoimaMDmesh II
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id22A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
On Resistance Rds(on)0.1ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation190W
Power Dissipation Pd190W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh II
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
190W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh II
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
22A
On Resistance Rds(on)
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
190W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00035
Tuotteen jäljitettävyys