Tulosta sivu
SCTWA60N120G2-4
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroSCTWA60N120G2-4
Tilauskoodi3775644
Tekninen tuotetietolomake
137 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
MAKSUTON vakiotoimitus tilauksille
joiden arvo on vähintään 0,00 €
PIKATOIMITUS saatavilla
Tilaa ennen klo 17:00 arkipäivisin
Tarkka toimitusaika lasketaan kassalla
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 35,870 € |
| 5+ | 31,380 € |
| 10+ | 26,000 € |
| 50+ | 23,310 € |
| 100+ | 21,520 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
35,87 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroSCTWA60N120G2-4
Tilauskoodi3775644
Tekninen tuotetietolomake
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.035ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation389W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset tiedot
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.035ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
389W
Product Range
-
Tekniset asiakirjat (3)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00608
Tuotteen jäljitettävyys