Tulosta sivu
SCTW40N120G2V
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroSCTW40N120G2V
Tilauskoodi3748722
Tekninen tuotetietolomake
430 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 10,410 € |
| 5+ | 10,290 € |
| 10+ | 10,170 € |
| 50+ | 10,040 € |
| 100+ | 9,920 € |
| 250+ | 9,800 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
10,41 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroSCTW40N120G2V
Tilauskoodi3748722
Tekninen tuotetietolomake
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.45V
Power Dissipation278W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset tiedot
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.45V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
278W
Product Range
-
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.0045
Tuotteen jäljitettävyys