Tulosta sivu
PD55003-E
RF FET Transistor, 40 V, 2.5 A, 31.7 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroPD55003-E
Tilauskoodi2341739
Tekninen tuotetietolomake
Saatavilla tilauksesta
Valmistajan vakiomääräinen toimitusaika: 19 viikko(a)
Ilmoittakaa minulle, kun tuotetta on taas varastossa
| Määrä | |
|---|---|
| 400+ | 6,590 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 400
Useita: 400
2 636,00 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroPD55003-E
Tilauskoodi2341739
Tekninen tuotetietolomake
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id2.5A
Power Dissipation31.7W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max1GHz
Transistor Case StylePowerSO-10RF
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max165°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
The PD55003-E is a N-channel RF Power Transistor designed for high gain, broad band applications. It operates at 12V in common source mode at frequencies of up to 1GHz. It boasts excellent gain, linearity and reliability thanks to ST's latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, the PowerSO-10RF. The superior linearity performance makes it an ideal solution for car mobile radios. It has been optimized for RF requirements and offers excellent RF performance and ease of assembly.
- Excellent thermal stability
- Common source configuration
- Enhancement-mode lateral field-effect transistor
Sovellukset
Industrial, Commercial, Power Management
Tekniset tiedot
Drain Source Voltage Vds
40V
Power Dissipation
31.7W
Operating Frequency Max
1GHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
2.5A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
PowerSO-10RF
Operating Temperature Max
165°C
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:Malaysia
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.001801
Tuotteen jäljitettävyys