Tulosta sivu
BUL38D
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 450 V, 5 A, 80 W, TO-220, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
11 Varastossa
1 000 Voit varata tuotteen varastosta nyt
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 1,370 € |
| 10+ | 0,802 € |
| 100+ | 0,737 € |
| 500+ | 0,604 € |
| 1000+ | 0,552 € |
| 5000+ | 0,497 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
1,37 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroBUL38D
Tilauskoodi1084526
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max450V
Continuous Collector Current5A
Power Dissipation80W
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min22hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
The BUL38D is a 450V NPN Power Transistor manufactured using high voltage Multiepitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It is designed for use in electronic transformers for halogen lamps. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- High voltage capability
- Low spread of dynamic parameters
- Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
- Very high switching speed
- High ruggedness
- Fully characterized at 125°C
- Integrated anti-parallel collector-emitter diode
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
Sovellukset
Lighting, Power Management
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
5A
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
22hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
450V
Power Dissipation
80W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.002041
Tuotteen jäljitettävyys