Tulosta sivu
BD911
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 100 V, 15 A, 90 W, TO-220AB, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
130 Varastossa
700 Voit varata tuotteen varastosta nyt
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 1,520 € |
| 10+ | 0,724 € |
| 100+ | 0,609 € |
| 500+ | 0,484 € |
| 1000+ | 0,446 € |
| 5000+ | 0,378 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
1,52 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroBD911
Tilauskoodi1084518
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max100V
Continuous Collector Current15A
Power Dissipation90W
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency3MHz
DC Current Gain hFE Min50hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
The BD911 from STMicroelectronics is a through hole NPN complementary power transistors in TO-220 package. This device manufactured in epitaxial planar technology.
- Collector to emitter voltage (Vce) is 100V
- Collector current (Ic) is 15A
- Power dissipation (Pd) is 90W
- Collector to emitter saturation voltage of 3V at 10A collector current
- DC current gain (hFE) of 5 at 10A collector current
- Operating junction temperature range from 150°C
Sovellukset
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
15A
Transistor Case Style
TO-220AB
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
50hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation
90W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
3MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:China
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.004536