Tulosta sivu
BD139
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, SOT-32, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
27 434 Varastossa
6 000 Voit varata tuotteen varastosta nyt
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 5+ | 0,646 € |
| 10+ | 0,301 € |
| 100+ | 0,259 € |
| 500+ | 0,198 € |
| 1000+ | 0,177 € |
| 5000+ | 0,139 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 5
Useita: 5
3,23 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumeroBD139
Tilauskoodi1015770
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max80V
Continuous Collector Current1.5A
Power Dissipation12.5W
Transistor Case StyleSOT-32
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
The BD139 is a NPN complementary low voltage NPN transistor in 3 pin SOT-32 package. This device is designed for audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi-complementary circuits.
- Products are pre-selected in DC current gain
- Collector to emitter voltage (Vce) is 80V
- Collector current (Ic) is 1.5A
- Power dissipation (Pd) is 12.5W
- Collector to emitter saturation voltage of 500mV at 0.5A collector current
- DC current gain (hFE) of 25 at 0.5A collector current
- Operating junction temperature range from 150°C
Sovellukset
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
1.5A
Transistor Case Style
SOT-32
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation
12.5W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (2)
Vaihtoehdot osanumerolle BD139
1 tuote löytyi
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:India
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:India
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.001334