Tulosta sivu
2SD882
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 3 A, 12.5 W, SOT-32, Through Hole
Kuva on vain kuvaavaa tarkoitusta varten. Lue tuotekuvaus tarkempia tietoja varten.
818 Varastossa
Tarvitsetko enemmän?
Toimitus 1–3 arkipäivässä
Perustoimitus edellyttää, että tilaus on tehty ennen klo 17.00
| Määrä | |
|---|---|
| 1+ | 1,290 € |
| 10+ | 1,180 € |
| 100+ | 0,526 € |
| 500+ | 0,418 € |
| 1000+ | 0,381 € |
| 5000+ | 0,313 € |
Hinta tuotteelle:Each
Vähintään: 1
Useita: 1
1,29 € (ei sis. ALV)
Lisää osanumero / rivihuomautus
Lisätään tilausvahvistukseen, laskuun ja lähetysluetteloon vain tämän tilauksen osalta.
Tämä numero lisätään tilausvahvistukseen, laskuun, lähetysluetteloon, verkkovahvistussähköpostiin ja tuoteselosteeseen.
Tuotetiedot
ValmistajaSTMICROELECTRONICS
Valmistajan osanumero2SD882
Tilauskoodi1749417
Tekninen tuotetietolomake
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max30V
Continuous Collector Current3A
Power Dissipation12.5W
Transistor Case StyleSOT-32
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency100MHz
DC Current Gain hFE Min100hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tuotteen yleiskatsaus
The 2SD882 is a 30V NPN medium power Transistor manufactured by using planar technology resulting in rugged high performance devices. The complementary PNP type is 2SB772. It is ideal for voltage regulation, relay driver, generic switch, audio power amplifier and DC-DC converter applications.
- High current
- Low saturation voltage
- 6A Peak collector current
- 60V Collector to base voltage
- 1A Base current
- 10°C/W Thermal resistance, junction to case
Sovellukset
Power Management, Industrial, Audio
Varoitukset
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniset tiedot
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
3A
Transistor Case Style
SOT-32
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
30V
Power Dissipation
12.5W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
100MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tekniset asiakirjat (2)
Lainsäädäntö ja ympäristöasiat
Alkuperämaa:
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:India
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehtyAlkuperämaa:India
Maa, jossa viimeinen merkittävä valmistusvaihe on tehty
Tariffinumero:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
Ftalaatteja koskevan RoHS-direktiivin mukainen:Kyllä
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Lataa tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Tuotteen vaatimustenmukaisuustodistus
Paino (kg):.00195
Tuotteen jäljitettävyys